（二）公司IGBT产品自2013年开始应用于家电产品后发展迅速，至2023年已实现汽车、光伏、工业、家电等领域的大批量供应，实现了从消费级到汽车级、工业级产品的迭代升级。2023年，公司IGBT的营业收入已达到14亿元，较2022年同期增长140%以上。2024年上半年，公司IGBT和SiC（模块、器件）的营业收入已达到7.83亿元，较去年同期增长30%以上。2024年，基于公司自主研发的V代IGBT和FRD芯片的电动汽车主电机驱动模块，已在比亚迪002594）、吉利、零跑、广汽、汇川、东风、长安等国内外多家客户实现批量供货；用于汽车的IGBT器件（单管）、MOSFET器件（单管）已实现大批量出货；用于光伏的IGBT器件（成品）米乐M6(MiLe)亚洲官方网站- 赔率最高在线投注平台、逆变控制模块、SiC MOS器件也实现批量出货。同时，公司应用于汽车主驱的IGBT和FRD芯片已在国内外多家模块封装厂批量销售。2024年第三季度，公司8吋线吋线IGBT芯片产能已接近满载，公司已安排技改资金进一步提升IGBT芯片产能，预计2025年公司在汽车、新能源等市场的IGBT产品的市场份额将大幅度提升。

　　（三）公司自2021年突破并掌握平面栅SiC功率器件关键技术，截至目前已完成第Ⅲ代平面栅SiC MOSFET技术的开发，性能指标达到业内同类器件结构的先进水平。基于公司自主研发并生产的Ⅱ代SiC MOSFET芯片生产的电动汽车主电机驱动模块，已实现向下游汽车用户批量供货，公司成为国内首家采用自主研发的Ⅱ代SiC芯片生产汽车主驱用功率模块并批量供货的厂家。目前，基于公司自主研发的IV代SiC MOSFET芯片即将完成验证，预计2025年实现批量供货。2024年，公司加快推进6吋SiC MOSFET产能建设，截至目前已具备9,000片/月的6吋SiC芯片生产能力。公司将进一步加大SiC芯片生产线的技术改造投入，加快产品技术迭代，进一步提升市场份额。

　　公司通过长期高强度的产品和技术研发创新投入，建立了可持续发展的产品和技术研发体系。最近三年（2021年至2023年）公司累计研发投入约22.53亿元。近些年来，公司研发、迭代了多类别的新技术产品，主要为多品类的模拟电路，变频控制系统和芯片，MEMS传感器产品，以第V代IGBT、超结MOSFET和高密度沟槽栅MOSFET为代表的硅基功率半导体产品，以1200V SiC MOSFET为代表的第三代化合物半导体产品；公司完成了多项特色制造工艺技术研发和升级，主要为国内领先的高压BCD、超薄片槽栅IGBT、超结高压MOSFET、高密度沟槽栅MOSFET、快恢复二极管、MEMS传感器、SiC MOSFET器件、GaN功率器件等。截至2023年底，公司共拥有专利1,171项，其中发明专利538项。

　　当前，公司研发项目主要围绕先进的车规级和工业级电源管理产品（芯片设计、芯片工艺制造）、车规级和工业级功率半导体器件与模块技术（含化合物SiC和GaN的芯片设计、制造、封装）、MEMS传感器产品与工艺技术平台（芯片设计、芯片工艺制造和封装）、车规级和工业级的信号链（接口、逻辑与开关、运放、模数数模转换等）混合信号处理电路（含芯片设计和芯片制造）、光电系列产品（发光二极管及其它光电器件的芯片制造及封装技术）等五大方面进行。2024年1-9月，公司研发投入7.55亿元，同比增长29.32%，研发投入占营业收入的比重为9.25%。未来5年，公司预计研发投入占营业收入的比重将保持在8%-10%。公司将持续推动新产品新技术的开发和产业化，不断丰富现有产品群，持续推出高性能、高质量和富有成本竞争力的产品，坚持创新驱动发展，加快培育新质生产力，进一步增强核心竞争能力。米乐M6(MiLe)亚洲官方网站- 赔率最高在线投注平台(访问: hash.cyou 领取999USDT）